型号: AP9465GEM-VB

品牌: VBsemi

参数:

- N—Channel沟道

- 额定电压: 40V

- 额定电流: 10A

- RDS(ON): 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电a压 (Vth): 1.6V

封装: SOP8

详细参数说明：

AP9465GEM-VB是一款N—Channel沟道功率MOSFET，适用于最大40V的工作电压。具有10A的额定电流和低导通电阻(RDS(ON))，在VGS=10V和VGS=20V时分别为14mΩ。阈值电压(Vth)为1.6V，采用SOP8封装。

应用简介：

该产品适用于各种电源和功率控制应用，特别是在需要高效能和低导通电阻的场合。常见应用包括电源模块、电池管理系统、电机驱动器等领域。其高性能特性使其成为工业、汽车和消费电子等领域的理想选择。

示例应用：

1. 电源模块: 在电源模块中，AP9465GEM-VB可用于提供可靠的电源转换和调节，确保系统各部分稳定运行。

2. 电池管理系统: 由于其低导通电阻和高效能，适用于电池管理系统，提供对电池充放电的精确控制。

3. 电机驱动器: 在电机驱动器中，通过控制电流，可实现对电机的高效驱动，提高系统性能。

这款MOSFET适用于要求高性能和可靠性的应用，为各种电子系统提供卓越的功率管理解决方案。

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