**AP4963M-VB**

- **品牌:** VBsemi

- **参数:**

  - 2个P-Channel沟道

  - 最大耐压：-30V

  - 最大漏极电流：-7A

  - 导通电阻：RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V，VGS=20V

  - 门源极电压阈值：Vth=-1.5V

- **封装:** SOP8

**详细参数说明:**

AP4963M-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管，具有双通道设计，最大耐压为-30V，适用于要求较低导通电阻和高电流承受能力的应用。其导通电阻在10V和20V的门源极电压下分别为35mΩ，门源极电压阈值为-1.5V。采用SOP8封装，适用于表面贴装。

**应用简介:**

AP4963M-VB适用于多种应用场景，包括但不限于：

1. **电源管理模块：** 由于其双通道设计和较低的导通电阻，适用于功率管理模块中的电源开关和逆变器电路。

2. **电池保护模块：** 可用作电池保护模块中的电源开关器件，控制充放电和保护电池。

3. **电动车充电模块：** 在电动车充电模块中，可用于充电控制电路，实现电动车的安全快速充电。

**举例说明:**

AP4963M-VB可应用于电动车充电模块中，控制电动车的充电过程，确保充电安全和效率。同时，也可用于电源管理模块中，控制电源的开关和电流输出，适用于各种功率管理应用。

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