**AP4959M-VB**

**品牌：** VBsemi  

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  

- 2个P—Channel沟道  

- 额定电压：-30V  

- 额定电流：-7A  

- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：35mΩ（在VGS=10V和VGS=20V时）  

- 门源极阈值电压（Vth）：-1.5V  

**应用简介：**  

AP4959M-VB是一款P沟道MOSFET，具有低漏极-源极电阻和高额定电流，适用于多种电源管理、功率控制和开关应用。

**举例说明：**  

1. **电源开关模块**：AP4959M-VB可用于电源开关模块中，用于开关电源的正常运行和保护。其低漏极-源极电阻和高额定电流使其在这些模块中具有良好的性能和可靠性。

2. **电动汽车充电模块**：在电动汽车充电桩中，AP4959M-VB可用作充电控制模块的开关器件，实现电动汽车的快速充电和安全保护。其高效率和稳定性使其成为这些模块中的理想选择。

3. **LED照明驱动模块**：在LED照明系统中，AP4959M-VB可用作LED驱动器的开关器件，实现LED的控制和调光。其高效率和稳定性使其在室内和室外照明系统中得到广泛应用。

综上所述，AP4959M-VB适用于电源开关、电动汽车充电、LED照明驱动等领域的模块设计，具有良好的性能和应用前景。

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