产品型号: AP4575M-VB

品牌: VBsemi

详细参数说明:

- 通道类型: N+P-Channel

- 最大耐压: ±60V

- 静态电流: 6.5A (正向) / -5A (反向)

- 开启电阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 51mΩ @ VGS = 20V

- 阈值电压: ±1.9V

- 封装: SOP8

应用简介:

AP4575M-VB是一款高性能的N+P-Channel沟道MOSFET，具有优异的耐压和低阈值电压特性，适用于多种功率控制和开关电源应用。

示例应用:

1. 电源逆变器: 由于其高耐压和低阈值电压特性，AP4575M-VB可用作电源逆变器中的开关管，实现高效的电能转换。

2. 电动汽车充电桩: 在电动汽车充电桩中，该器件可用于充电控制电路，确保充电过程的稳定性和安全性。

3. 工业自动化: 由于其高静态电流和低阈值电压，可用于工业自动化设备中的电力控制和调节。

通过在这些领域和模块中的应用，AP4575M-VB可实现高效、可靠和稳定的功率控制，满足不同应用场景的需求。

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