型号: AP2318GEN-VB

品牌: VBsemi

参数:

- 封装类型: SOT23

- 沟道类型: N-Channel

- 额定电压: 30V

- 额定电流: 6.5A

- 开通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:

AP2318GEN-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。具有30V的额定电压，6.5A的额定电流，以及低的开通电阻（RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）。阈值电压Vth在1.2~2.2V范围内。

**应用领域:**

1. **电源管理模块:** 用于电源开关和调节电路，提供高效的功率转换。

2. **电机驱动:** 在电机控制和驱动模块中，支持高效的电机运行。

3. **LED驱动:** 适用于LED照明应用，可控制和调节LED的亮度。

4. **电源逆变器:** 用于制造高效的逆变器，将直流电源转换为交流电源。

AP2318GEN-VB适用于需要高性能N-Channel沟道MOSFET的多种应用，包括但不限于上述提到的领域。其优异的性能使其成为电子系统中的理想选择。

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