**型号：** AO4618-VB

**品牌：** VBsemi

**参数：**

- **沟道类型：** N+P—Channel

- **最大电压：** ±40V

- **最大电流：** 8A / -7A

- **导通电阻：** RDS(ON) = 15mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=20V

- **阈值电压：** Vth = ±1.8V

**封装：** SOP8

**详细参数说明：**

AO4618-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET，具有多项优秀的性能参数。其最大电压为±40V，最大电流分别为8A和-7A。在VGS=10V时，导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，VGS=20V时为19mΩ，表现出卓越的导通特性。阈值电压Vth为±1.8V，具有在低电压条件下灵敏触发的特性。

**应用简介：**

AO4618-VB适用于多个领域，主要包括但不限于：

1. **电源管理模块：** 具有高电压承受能力和低导通电阻，适用于设计高性能电源管理模块。

2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车电子系统中，可以应用于电机控制器模块，提供可靠的功率开关。

3. **太阳能逆变器：** 作为太阳能逆变器的关键组件，可提供高效的电能转换。

**举例说明：**

AO4618-VB可以被广泛应用于电动汽车电机控制器模块，用于实现电机的高效驱动。其N+P—Channel沟道设计使其成为电机控制器中的理想选择，提供可靠的功率开关和高效的能源转换。

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