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AO3423A-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-11-14 10:12:32    阅读:3   发布文章

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**VBsemi AO3423A-VB 产品说明:**


- **品牌:** VBsemi

- **参数:**

  - 封装:SOT23

  - 沟道类型:P—Channel

  - 最大漏电流:-20V

  - 最大漏极电流:-4A

  - 开启电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V

  - 阈值电压(Vth):-0.81V


- **封装:** SOT23


**详细参数说明:**


- **沟道类型:** P—Channel 指示这是一种P沟道场效应晶体管,适用于负载电流较小的应用。


- **最大漏电流:** -20V 的最大漏电流表明该晶体管在反向电压为20V时仍能保持正常工作。


- **最大漏极电流:** -4A 的最大漏极电流说明这款晶体管可以处理较大的电流负载。


- **开启电阻(RDS(ON)):** RDS(ON) 为 57mΩ 表示在给定的门源电压条件下,漏极和源极之间的导通电阻。


- **阈值电压(Vth):** -0.81V 的阈值电压表示在此电压以下,晶体管将开始导通。

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**应用简介:**


AO3423A-VB 这款 P-Channel 沟道 MOSFET 适用于各种电源管理和开关应用,其中包括但不限于:


1. **电源开关:** 由于其 P-Channel 沟道特性,适用于电源开关电路,可实现高效的功率管理。


2. **电流限制和保护:** 可用于电流限制和保护电路,确保电流在安全范围内。


3. **低电压系统:** 适用于低电压系统,提供高效的功率控制。


**举例说明:**


AO3423A-VB 可以被应用在便携式电子设备的电源管理模块,例如智能手机、平板电脑等。由于其小巧的 SOT23 封装和良好的电性能,它在有限的空间内提供高效的电源开关和管理功能,有助于延长电池寿命,并提高设备的整体性能。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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