AFP2367SS23RG-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，具体参数如下：

- 封装：SOT23

- 最大工作电压：-20V

- 最大电流：-4A

- RDS(ON)：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V

- 阈值电压：Vth=-0.81V

**应用简介：**

适用于需要P—Channel MOSFET的电路和模块，特别是在需要较低阻抗和较小阈值电压的场合。

**示例应用：**

1. **电源管理模块：** 由于低阻抗和适中的电流容量，适用于电源开关和调节模块。

2. **LED驱动：** 在需要反相控制的LED驱动电路中，可以使用AFP2367SS23RG-VB。

3. **电池保护电路：** 由于小型SOT23封装和低阈值电压，适用于电池保护电路，确保在低电压状态下切断电池。

请注意，具体应用需根据项目的电气要求和设计参数进行验证。

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