**VBsemi AP2305BGN-VB**

- **封装类型:** SOT23

- **沟道类型:** P-Channel

- **最大耐压:** -30V

- **最大漏电流:** -5.6A

- **导通电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **阈值电压 (Vth):** -1V

**详细参数说明:**

AP2305BGN-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23封装。具有最大-30V的耐压能力，最大-5.6A的漏电流，以及在10V和20V时的47mΩ导通电阻。阈值电压为-1V，适用于需要高性能P-Channel MOSFET的电路设计。

**应用简介:**

该器件适用于多种电源管理和功率放大应用，特别是在需要P-Channel MOSFET的电路中，可以提供高效、可靠的性能。

**应用领域:**

1. **电源开关:** 用于开关电源和稳压器。

2. **电机驱动:** 在电机控制中用于负载开关。

3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路。

4. **充电管理:** 在移动设备和电动工具中的充电管理电路。

5. **电源逆变器:** 在逆变器和直流-交流转换器中使用。

**注意:** 在设计中，请根据具体的电路要求和工作条件仔细选择和使用该器件。

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