**ACE2341BM+H-VB**

- **丝印：** VB2355

- **品牌：** VBsemi

- **参数：**

  - 封装类型：SOT23

  - 沟道类型：P—Channel

  - 最大承受电压：-30V

  - 最大漏极电流：-5.6A

  - 开态电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

  - 阈值电压（Vth）：-1V

- **应用简介：**

  ACE2341BM+H-VB 是一款 P—Channel 沟道功率 MOSFET，采用 SOT23 封装。具有低开态电阻和适用于负载开关和功率管理应用的特性。

- **详细参数说明：**

  1. **封装类型（Package Type）：** SOT23，这是一种小型表面贴装封装，适合密集的电路板设计。

  2. **沟道类型（Channel Type）：** P—Channel，表示这是一款 P 沟道型 MOSFET。

  3. **最大承受电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -30V，这是该器件可承受的最大漏极电压。

  4. **最大漏极电流（Maximum Drain Current）：** -5.6A，表示最大可通过的漏极电流。

  5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，表示在给定的栅源电压下，开态电阻的最大值。

  6. **阈值电压（Threshold Voltage）：** -1V，是器件开始导通的栅源电压。

- **应用领域：**

  1. **负载开关（Load Switching）：** 适用于负载开关电路，提供可靠的开关控制，例如电源管理单元（PMU）的负载开关。

  2. **功率管理模块（Power Management Modules）：** 用于构建功率管理模块，如电源开关和电流控制器。

- **模块应用举例：**

  1. **电源开关模块：** ACE2341BM+H-VB 可用于设计电源开关模块，广泛应用于便携设备和电源管理系统。

  2. **电源管理单元（PMU）：** 作为 PMU 的一部分，用于控制电源的开关，提供高效的功耗管理。

请注意，以上信息仅为对给定参数的一般解释和应用建议，具体设计时需要考虑电路需求和系统规格。

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。