**VBsemi 9469GM-VB MOSFET:**

- **丝印:** VBA1410

- **沟道类型:** N-Channel

- **额定电压:** 40V

- **额定电流:** 10A

- **静态电阻:** RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **阈值电压:** Vth = 1.6V

- **封装:** SOP8

**详细参数说明:**

9469GM-VB MOSFET是一款N沟道场效应晶体管，适用于40V工作电压和10A最大电流。其静态电阻在VGS为10V和VGS为20V时为14mΩ，确保高效的电流传输。阈值电压为1.6V，适用于多种电源和开关控制应用。

**应用简介:**

这款MOSFET适用于多个领域和模块:

1. **医疗设备电源:** 在医疗设备中，确保电源开关电路的高性能和稳定性。

2. **电源逆变器:** 适用于要求高效率和高性能的逆变器设计。

3. **电动工具电源系统:** 在电动工具的电源开关电路中，提供高性能和可靠性。

VBsemi 9469GM-VB MOSFET可广泛用于需要高性能N沟道MOSFET的电子设备和系统。

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