产品型号: 3LN01C-TB-H-VB

丝印: VB1330

品牌: VBsemi

参数: 

- 封装类型: SOT23

- 沟道类型: N—Channel

- 最大漏极电压: 30V

- 最大漏极电流: 6.5A

- 开启电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

应用简介:

3LN01C-TB-H-VB是一款N—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻，适用于需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路。

主要应用领域:

该产品适用于各种电子设备和模块，特别是在需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。

请注意: 在使用该产品时，请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。

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