新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
2SK3577-T1B-A-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-07-11 09:27:47    阅读:28   发布文章

image.png

产品型号: 2SK3577-T1B-A-VB

丝印: VB1330

品牌: VBsemi

参数: 

- 封装类型: SOT23

- 沟道类型: N—Channel

- 最大漏极电压: 30V

- 最大漏极电流: 6.5A

- 开启电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

VB1330.png

应用简介:

2SK3577-T1B-A-VB是一款N—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻,适用于需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路。


主要应用领域:

该产品适用于各种电子设备和模块,特别是在需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。


请注意: 在使用该产品时,请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
推荐文章
最近访客