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2SJ486ZU-TL-E-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi | 2024-07-03 09:29:20    阅读:42   发布文章

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型号:2SJ486ZU-TL-E-VB

丝印:VB2355

品牌:VBsemi

封装:SOT23


参数:

- 沟道类型:P—Channel

- 最大漏极电压:-30V

- 最大漏极电流:-5.6A

- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压:Vth = -1V

VB2355.png

应用简介:

该器件适用于各种电源管理和开关电路中。由于其P—Channel沟道类型和低漏极-源极电阻,特别适用于要求高效能和低功耗的应用。常见的应用领域包括电源逆变器、电源开关、功率管理模块等。


详细参数说明:

- 沟道类型:P—Channel,适用于负载开关和电源管理。

- 最大漏极电压:-30V,确保在一定电压范围内可靠工作。

- 最大漏极电流:-5.6A,适用于中等功率的电源管理需求。

- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低导通电阻确保高效的能量转换。

- 阈值电压:Vth = -1V,确保在适当的电压条件下工作。


应用领域:

1. 电源逆变器:用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器等。

2. 电源开关:在电源管理电路中,作为负载开关以控制电流流动。

3. 功率管理模块:在需要高效、可靠电源管理的场合,如电动工具、无线通信设备等。


这款器件的特性使其成为各种电源管理模块中的理想选择,为应用提供高性能和稳定的电源解决方案。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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