**2SJ345-VB Transistor**

- **丝印：** VB264K

- **品牌：** VBsemi

- **参数：**

  - 封装：SOT23

  - 极性：P—Channel沟道

  - 最大耐压：-60V

  - 最大电流：-0.5A

  - 开通电阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

  - 阈值电压：Vth=-1.87V

- **封装：** SOT23

**详细参数说明:**

2SJ345-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装，具有以下特性：最大耐压为-60V，最大电流为-0.5A。开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩ（VGS=10V）和3000mΩ（VGS=20V）。阈值电压为-1.87V。

**应用简介:**

2SJ345-VB适用于多种电子设备和模块，包括但不限于：

1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道特性，可在电源管理模块中实现高效能耗控制。

2. **音频放大器：** 适用于音频放大器电路，提供可靠的信号放大功能。

3. **电源逆变器：** 在电源逆变器中，通过其低开通电阻和适度的电流能力，实现有效的电能逆变。

请注意，以上仅为示例，实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。

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