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2SJ204-T2B-A-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-06-28 09:43:04    阅读:76   发布文章

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**2SJ204-T2B-A-VB Transistor**


- **丝印:** VB264K

- **品牌:** VBsemi

- **参数:**

  - 封装:SOT23

  - 极性:P—Channel沟道

  - 最大耐压:-60V

  - 最大电流:-0.5A

  - 开通电阻:RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

  - 阈值电压:Vth=-1.87V


- **封装:** SOT23


**详细参数说明:**

2SJ204-T2B-A-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装,具有以下特性:最大耐压为-60V,最大电流为-0.5A。开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩ(VGS=10V)和3000mΩ(VGS=20V)。阈值电压为-1.87V。

VB264K.png

**应用简介:**

2SJ204-T2B-A-VB适用于多种电子设备和模块,包括但不限于:

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性,可用于电源管理模块,实现高效的电流控制和功耗管理。


2. **信号开关:** 在需要负载开关的信号开关电路中,提供可靠的开关功能。


3. **音频放大器:** 适用于音频放大器电路,提供可靠的信号放大功能。


请注意,以上仅为示例,实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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