新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
2SJ203-T1B-A-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-06-28 09:24:00    阅读:54   发布文章

image.png

**详细参数说明:**


**型号:** 2SJ203-T1B-A-VB  

**丝印:** VB264K  

**品牌:** VBsemi  

**参数:**

- 封装类型: SOT23

- 沟道类型: P—Channel

- 最大承受电压: -60V

- 最大电流: -0.5A

- 开通电阻(RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压(Vth): -1.87V

VB264K.png

**应用简介:**


2SJ203-T1B-A-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种电路设计。


**适用领域和模块示例:**

1. **低功耗电源模块:**

   - **用途:** 适用于低功耗电源管理模块。

   - **示例应用:** 便携设备、电池供电设备。


2. **信号放大模块:**

   - **用途:** 可用于低功耗信号放大和调节。

   - **示例应用:** 传感器接口、精密测量设备。


3. **负载开关模块:**

   - **用途:** 适用于负载开关控制。

   - **示例应用:** 负载开关电源、电池管理模块。


4. **放大器模块:**

   - **用途:** 可用于低功耗放大器设计。

   - **示例应用:** 低功耗放大器、音频放大器。


**注意:** 在具体应用中,请根据电路需求和设计规范精选和配置元器件。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
推荐文章
最近访客