**VBsemi 2327GN-HF-VB**

- **参数说明:**

  - 类型: P—Channel MOSFET

  - 额定电压（V_DS）: -30V

  - 额定电流（I_D): -5.6A

  - 静态电阻（RDS(ON)）: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

  - 阈值电压（Vth): -1V

- **封装:**

  - 类型: SOT23

- **应用简介:**

  - 高性能P—Channel MOSFET，专为要求高功率密度和低导通电阻的应用而设计。

- **领域应用:**

  - 电源模块

  - 电池管理系统

  - 电机控制器

  - 汽车电子

- **特色:**

  - 优异的导通特性

  - 适用于高功率密度设计

  - SOT23封装适用于小型电子设备

*注意: 以上信息仅供参考，具体应用需要根据系统要求和设计考虑。*

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