VBsemi 2325GN-VB

**详细参数说明:**

- 类型: P—Channel沟道 MOSFET

- 最大耐压: -20V

- 最大电流: -4A

- RDS(ON): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V

- 阈值电压 (Vth): -0.81V

- 封装: SOT23

**应用简介:**

适用于需要 P—Channel 沟道 MOSFET 的电路和模块，特别是在要求低阻抗、高电流的场合。

**示例应用:**

1. **电源管理模块:** 用于电源开关、反向保护等。

2. **驱动器模块:** 在电机驱动和功率放大电路中有广泛应用。

3. **LED 驱动模块:** 控制 LED 亮度和电流。

**适用领域:**

1. **消费电子:** 手持设备、充电器。

2. **汽车电子:** 车载电源管理、车灯控制。

3. **工业控制:** 电机控制、开关电源。

4. **通信设备:** 放大器、射频功率放大器。

**注意:** 在设计中，请确保满足电路的功耗、温度和电流要求。

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