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2323GN-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-06-17 09:23:57    阅读:45   发布文章

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**2323GN-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi

- **型号:** 2323GN-VB

- **丝印:** VB2355

- **封装:** SOT23


**电气参数:**

- **沟道类型:** P-Channel

- **最大漏电流:** -5.6A

- **漏极-源极电压:** -30V

- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **阈值电压(Vth):** -1V


**封装信息:**

- **封装类型:** SOT23

VB2355.png

**应用简介:**

2323GN-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel沟道功率场效应晶体管,具有优异的电气性能,适用于多种电子应用场景。


**主要应用领域:**

1. **电源模块:** 适用于电源模块中的功率开关电路,可用于设计紧凑型和高效能的电源解决方案。


2. **电源管理:** 在电源管理领域,可应用于开关稳压器、DC-DC变换器等电源管理电路。


3. **通信设备:** 由于其特性,可在通信设备中作为功率开关元件,用于信号放大和电源调节。


4. **工业控制:** 在工业控制系统中,可用于电机驱动、开关电源以及其他高性能功率控制应用。


**注意:** 在使用前,请仔细阅读相关的数据手册和规格,以确保产品在特定应用中的合适性。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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