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2313N-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管
VBsemi | 2024-06-07 09:42:22    阅读:53   发布文章

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**VBsemi 2313N-VB 详细参数说明:**


- **型号:** 2313N-VB

- **丝印:** VB2290

- **品牌:** VBsemi

- **封装:** SOT23

- **通道类型:** P—Channel

- **最大承受电压:** -20V

- **最大电流:** -4A

- **导通电阻:** RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V

- **阈值电压:** Vth=-0.81V

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**应用简介:**


VBsemi的2313N-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管。该器件在-20V的最大承受电压下,具有最大-4A的电流承受能力。其导通电阻为57mΩ,阈值电压为-0.81V。


**适用领域及模块举例:**


1. **电源开关模块:** 由于2313N-VB具有P—Channel沟道和较低的导通电阻,适合用于电源开关模块,实现高效的电源控制。


2. **电源逆变器:** 在需要P—Channel沟道的电源逆变器中,该器件能够提供可靠的电流控制和功率逆变功能。


3. **电池保护模块:** 用于电池保护模块,可实现对电池的过流和过压保护,确保电池的安全使用。


4. **稳压电路:** 由于器件承受电压高,适用于需要稳定输出的稳压电路,如稳压器和稳压模块。


总体而言,2313N-VB适用于需要P—Channel沟道、较低导通电阻以及电源控制和保护功能的电路模块,特别在电源开关、电池保护和稳压电路等领域具有广泛的应用潜力。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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