2312N-VB

- 丝印: VB1240

- 品牌: VBsemi

- 封装: SOT23

**参数:**

- 沟道类型: N-Channel

- 额定电压: 20V

- 额定电流: 6A

- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V

- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V

**封装:**

- SOT23

**详细参数说明:**

2312N-VB是VBsemi生产的N-Channel沟道类型场效应晶体管，采用SOT23封装。其额定电压为20V，额定电流为6A，具有低导通电阻（RDS(ON)）为24mΩ @ VGS=4.5V和VGS=8V。阈值电压（Vth）在范围0.45~1V之间。

**应用简介:**

2312N-VB适用于多种电子设备和模块，主要用于需要N-Channel沟道类型场效应晶体管的应用场景。其常见应用包括但不限于：

1. **电源模块:** 在电源开关和稳压模块中，提供高效能量转换。

2. **电机驱动:** 作为电机驱动模块的关键组件，实现可靠的功率控制。

3. **DC-DC转换器:** 用于直流-直流转换，实现不同电压水平之间的高效能量转换。

2312N-VB的性能和特性使其成为各种电子产品设计中理想的选择。

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