型号：2303N-VB

丝印：VB2355

品牌：VBsemi

参数：

- 封装：SOT23

- 沟道类型：P—Channel

- 额定电压：-30V

- 最大电流：-5.6A

- 静态开态电阻 (RDS(ON))：47mΩ (在VGS=10V, VGS=20V时)

- 阈值电压 (Vth)：-1V

**详细参数说明：**

1. **沟道类型：** P-Channel沟道，适用于P-Channel MOSFET，负责电流流经沟道的部分。

2. **额定电压：** -30V，表示MOSFET在正常工作条件下的最大电压。

3. **最大电流：** -5.6A，表示MOSFET能够承受的最大电流。

4. **静态开态电阻 (RDS(ON))：** 47mΩ，表示MOSFET在导通状态下的电阻。

5. **阈值电压 (Vth)：** -1V，表示MOSFET从关闭到开启的电压阈值。

**应用简介：**

2303N-VB是一款P-Channel MOSFET，适用于需要进行功率开关的电路，具有适中的额定电压和电流承受能力。

**应用领域：**

1. **电源管理：** 用于电源开关模块，例如直流-直流转换器 (DC-DC Converter)。

2. **电流控制：** 适用于需要电流控制的电路，如电流源。

3. **电池管理：** 在电池充电和放电控制电路中的应用，确保有效的电池管理。

4. **电机驱动：** 作为电机控制电路中的功率开关器件。

**模块应用：**

1. **电源模块：** 用于直流电源开关模块，确保有效的电源管理。

2. **电机驱动模块：** 在电机驱动器中作为功率开关器件，控制电机的启停和速度。

3. **电池管理模块：** 用于充电和放电控制模块，确保电池的安全和高效使用。

总体而言，2303N-VB适用于多种功率电子应用，具有适中的性能参数，可用于需要P-Channel MOSFET的各种电路设计。

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