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17YW-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi | 2024-05-17 11:15:24    阅读:43   发布文章


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17YW-VB 丝印: VB2355 品牌: VBsemi


**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23

- 沟道类型:P—Channel

- 最大漏极电压:-30V

- 最大漏极电流:-5.6A

- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 门极阈值电压 (Vth):-1V

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**应用简介:**

17YW-VB是一款P-Channel沟道的SOT23封装的场效应晶体管(FET)。其设计注重低漏极电阻和高漏极电流,适用于多种电子应用场景。


**应用领域:**

1. **电源管理模块:** 17YW-VB可用于电源管理模块,帮助实现对电源输出的有效控制,提高电源效率。


2. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行有效控制的电路,例如电流源、电流控制模块等。


3. **开关电源:** 在开关电源中,17YW-VB可用于控制电流流动,有助于实现高效的能源转换。


4. **电池管理系统:** 由于其低阻和高电流能力,可用于电池管理系统中,帮助管理和控制电池的充放电过程。


5. **低电压断开开关:** 适用于需要低电压断开开关的电路,具有较低的门极阈值电压。


通过这些特性,17YW-VB可广泛应用于各种需要P-Channel场效应晶体管的电子设备和模块中,为电路提供可靠、高性能的解决方案。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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