SI2333CDS-T1-GE3 参数：P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23

应用简介：SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。

其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。

常用于电池供电设备、小型电子设备等。

优势：低导通电阻：有助于高效能电流开关控制。

适用于低电压：适用于低电压操作，如电池供电设备。

适用模块：SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块，如电池供电的小型设备、移动设备等。

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