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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-24 15:53:53    阅读:72   发布文章

SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明:P沟道,-60V,-5.2A,导通电阻40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-2V,封装:SOT23。

VB2658.png

应用简介:SI2309CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。

其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。

适用领域与模块:适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合紧凑型应用的场景。


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