新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-24 15:49:36    阅读:73   发布文章

SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23。


VB2290.png

应用简介:SI2305CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。

其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。

适用领域与模块:适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合紧凑型应用的场景。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
推荐文章
最近访客