新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
SI2305ADS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-23 17:18:45    阅读:64   发布文章

SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围12V(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23。

VB2290.png

应用简介:SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟道MOSFET,适用于功率开关、逆变器和电源管理等应用。

其能够处理适中的功率需求。

优势与适用领域:具有适中的功率承载能力,适用于中功率应用场景,如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
推荐文章
最近访客