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RU20P4C-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-21 17:37:55    阅读:63   发布文章

RU20P4C (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。

应用简介:RU20P4C是一款高性能P沟道MOSFET,适用于功率开关、稳压和电流控制等应用。

常见于电源管理、电机驱动和DC-DC变换器等领域模块。


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