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RJP020N06T100-VB一款N沟道SOT89-3封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-21 17:30:43    阅读:59   发布文章

RJP020N06T100 (VBI1695)参数说明:N沟道,60V,5A,导通电阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT89-3。

VBI1695.png

应用简介:RJP020N06T100适用于电源开关和电机控制等应用。

其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率场景中表现出色。

适用领域与模块:适用于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块,特别适合高功率要求的场景。


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