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IRLR7843TRPBF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
VBsemi | 2023-11-16 14:09:29    阅读:119   发布文章

IRLR7843TRPBF (VBE1303)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:100A;导通电阻:2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.9V;封装:TO252

VBE1303.png

应用简介:IRLR7843TRPBF (VBE1303) 是一款N沟道MOSFET,适用于高电流和高功率应用。

其高额定电流和低导通电阻适合高功率开关控制。

常用于电源开关、电机驱动、工业自动化等。

优势:高电流能力:适用于高电流和高功率应用。

低导通电阻:降低功耗,提高效率。

适用封装:TO252封装适合中等功率应用。

适用模块:IRLR7843TRPBF (VBE1303) 适用于高功率开关控制模块,如电源管理模块、电机驱动模块、工业自动化控制模块等。


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