新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
DTU40P06-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi | 2023-11-10 13:56:49    阅读:41   发布文章

DTU40P06 VBE2658

参数描述:

P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V);TO252


VBE2658.png

型号参数介绍:

DTU40P06 (VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。

应用简介:DTU40P06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。

其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。

适用领域与模块:适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块,特别适合高功率要求的场景。


*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
推荐文章
最近访客