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2SK3484-Z-E1-AZ-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi | 2023-10-20 16:38:26    阅读:81   发布文章

2SK3484-Z-E1-AZ (VBE1101M)

参数描述:

N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252

VBE1101M.png

型号参数介绍:

2SK3484-Z-E1-AZ 参数:N沟道, 100V, 18A, RDS(ON) 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), TO252

应用简介:2SK3484-Z-E1-AZ是一款适用于高电压、高电流的N沟道MOSFET。

其高电压和高电流特性使其在高功率应用中表现出色,如高压电源、工业自动化等。

优势:能承受高电压、高电流:适用于高压、高功率应用。

适用于工业应用:常用于高压电源、工业自动化等领域。

适用模块:2SK3484-Z-E1-AZ适用于需要高电压、高电流开关控制的模块,如工业自动化设备中的电源模块等。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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