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2SJ327-Z-E1-AZ-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi | 2023-10-20 16:33:56    阅读:75   发布文章

2SJ327-Z-E1-AZ (VBE2610N)

参数描述:

P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V);TO252

VBE2610N.png

型号参数介绍:

2SJ327-Z-E1-AZ (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。

应用简介:2SJ327-Z-E1-AZ是一款适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。

由于其能够处理较大的电流和电压,常用于电源管理、电机控制和逆变器等领域模块。


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专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商; 公司官网:www.VBsemi.com
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